Одеська національна наукова бібліотека

Бібліотека працює:

понеділок, вівторок, середа, четвер, субота і неділя – з 10.00 до 18.00
Вихідний день – п’ятниця. Останній четвер місяця – санітарний день

Електронний каталог

Відображає документи,
що надійшли до бібліотеки з 2001 р.

Пошук :

Довідка :

Електронний каталог : Герман Іванна Іванівна - Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6

Герман Іванна Іванівна - Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6

Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6

Недоступно
0 из 1

Автореферат/Дисертація
Автор: Герман Іванна Іванівна
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук
Видавництво: [б.в.], 2007 г.
ISBN відсутній

(UA) Автореферат
A 156355
Главный филиал

Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 : автореф. дис ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Іванна Іванівна Герман; В.о. Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича.– Чернівці : [б.в.], 2007.– 20 с.
100 пр. – На укр. яз.

-- 1. Фізико-математичні науки – Фізика – Фізика напівпровідників і діелектриків.