Пошук :
Довідка :
Електронний каталог : Голубков С. А. - Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных p+nn+ -структурах из высокоомного кремния
Голубков С. А. - Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных p+nn+ -структурах из высокоомного кремния
Книга
Автор: Голубков С. А.
Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных p+nn+ -структурах из высокоомного кремния
Investigation of internal amplification effect at planar (p+nn+) structures made of high resistivity silicon
Серія: Препринт Объединенного института ядерных исследований
Видавництво: Объединенный ин-т ядерных исследований, 2004 г.
ISBN відсутній
Автор: Голубков С. А.
Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных p+nn+ -структурах из высокоомного кремния
Investigation of internal amplification effect at planar (p+nn+) structures made of high resistivity silicon
Серія: Препринт Объединенного института ядерных исследований
Видавництво: Объединенный ин-т ядерных исследований, 2004 г.
ISBN відсутній
(UA) Книга
VIII 105554
Главный филиал
Голубков, С. А.
Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных p+nn+ -структурах из высокоомного кремния = Investigation of internal amplification effect at planar (p+nn+) structures made of high resistivity silicon / С. А. Голубков, Ю. Б. Гуров, К. Н. Гусев.– Дубна : Объединенный ин-т ядерных исследований, 2004.– 12 с.– (Препринт Объединенного института ядерных исследований; Р13-2004-26)
320 экз. – На рус. яз.
VIII 105554
Главный филиал
Голубков, С. А.
Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных p+nn+ -структурах из высокоомного кремния = Investigation of internal amplification effect at planar (p+nn+) structures made of high resistivity silicon / С. А. Голубков, Ю. Б. Гуров, К. Н. Гусев.– Дубна : Объединенный ин-т ядерных исследований, 2004.– 12 с.– (Препринт Объединенного института ядерных исследований; Р13-2004-26)
320 экз. – На рус. яз.