Пошук :
Довідка :
Електронний каталог : Дяденчук, Альона Федорівна - Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂B₆ та A₃B₅)
Дяденчук, Альона Федорівна - Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂B₆ та A₃B₅)
Автореферат/Дисертація
Автор: Дяденчук, Альона Федорівна
Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂B₆ та A₃B₅) : автореф. дис. … канд. техн. наук
Видавництво: [б.в.], 2018 г.
ISBN відсутній
Автор: Дяденчук, Альона Федорівна
Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂B₆ та A₃B₅) : автореф. дис. … канд. техн. наук
Видавництво: [б.в.], 2018 г.
ISBN відсутній
(UA) Автореферат
A 231057
Главный филиал
Дяденчук, Альона Федорівна.
Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂B₆ та A₃B₅) : автореф. дис. … канд. техн. наук : 05.27.06 / Альона Федорівна Дяденчук, НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова.– Київ : [б.в.], 2018.– 19 с.
100 пр. – На укр. яз.
-- 1. Технічні науки – Електроніка – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки.
A 231057
Главный филиал
Дяденчук, Альона Федорівна.
Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A₂B₆ та A₃B₅) : автореф. дис. … канд. техн. наук : 05.27.06 / Альона Федорівна Дяденчук, НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова.– Київ : [б.в.], 2018.– 19 с.
100 пр. – На укр. яз.
-- 1. Технічні науки – Електроніка – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки.