Пошук :
Довідка :
Електронний каталог : Ткачук, Ольга Іванівна - Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001)
Ткачук, Ольга Іванівна - Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001)
Автореферат/Дисертація
Автор: Ткачук, Ольга Іванівна
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис. ... канд. хім. наук
Видавництво: [б.в.], 2019 г.
ISBN відсутній
Автор: Ткачук, Ольга Іванівна
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис. ... канд. хім. наук
Видавництво: [б.в.], 2019 г.
ISBN відсутній
(UA) Автореферат
A 238436
Главный филиал
Ткачук, Ольга Іванівна.
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис ... канд. хім. наук : 02.00.04 / Ольга Іванівна Ткачук, НАН України. Ін-т хімії поверхні ім. О.О. Чуйка.– Київ : [б.в.], 2019.– 22 с.
100 пр. – На укр. яз.
-- 1. Хімічні науки – Фізична хімія.
A 238436
Главный филиал
Ткачук, Ольга Іванівна.
Квантовохімічне моделювання поверхневих структур Ge на грані Si(001) : автореф. дис ... канд. хім. наук : 02.00.04 / Ольга Іванівна Ткачук, НАН України. Ін-т хімії поверхні ім. О.О. Чуйка.– Київ : [б.в.], 2019.– 22 с.
100 пр. – На укр. яз.
-- 1. Хімічні науки – Фізична хімія.